Monatskolloquium Leistungselektronik

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19.12.2018
17:15 – 18:45
FAU, Lehrstuhl für Leistungselektronik

SiC- und GaN-Leistungshalbleiter

Vorträge

Von der Schaltercharakterisierung zum Leistungshalbleiter-Simulationsmodell
Achim Endruschat, Holger Gerstner, Fraunhofer IISB

Realitätsnahe Simulationsmodelle von Leistungshalb-leitern bilden die Grundlage aussagekräftiger Schaltungssimulationen und Optimierungen leistungselektronischer Systeme. In den beiden Vorträgen wirdö an-hand eines GaN-Leistungshalbleiters die Methodik von der Charakterisierung hin zur Implementierung eines validen Simulationsmodells in SPICE vorgestellt.


Investigation of Threshold Voltage Stability of SiC-MOSFETs and Compact Models for SiC-MOSFETs
Dr.-Ing. Dethard Peters, Dr.-Ing. Andreas Hürner
Infineon Technologies AG

Infineon ist einer der weltweit führenden Hersteller von Halbleiterlösungen, unter anderem Schottkydio-den und MOSFETs auf der Basis von Siliziumkarbid (SiC). Vorgestellt werden die wesentlichen Eigen-schaften des Infineon-SiC-Trench-MOSFETs. Einen Schwerpunkt stellt dabei der Einfluss der Gate-Ansteuerung auf die Einsatzspannung dar. Darauf aufbauend wird im zweiten Teil des Vortrages die Vorgehensweise von Infineon bei der Erstellung von Kompaktmodellen für SiC-MOSFET erläutert.


ab 18:45 Uhr Diskussion bei Imbiss und Getränken

Programm des Kolloquiums